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N型单晶

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产品详情

依据客户需求个性化定制;高寿命,适用于效率高产品;超薄硅片,最低可在90-110μm;掺磷,超低衰减工艺。

 

材料特性

序号

参数

标准

检验方式

1

生长方式

直拉法Cz

/

2

掺杂剂

磷P

/

3

导电类型

N型

P/N型测试仪

4

晶 向 / °

<100>±3

X射线衍射仪

5

位错密度//cm²

≤500/cm²

X射线衍射仪

 

 

性能参数

序号

参数

标准

检验方式

1

电阻率/Ω.cm

0.4~1.6

硅片自动分选设备

2

少子寿命/μs

≥800

少子寿命测试仪BCT-400

3

氧含量/atoms/cm³

≤6.0×10'

傅里叶红外变换光谱仪

4

碳含量/atoms/cm³

≤5.0×10¹⁶

傅里叶红外变换光谱仪

 

 

几何尺寸

检验内容

硅片边距/mm

对角线/mm

倒角/mm

垂直度/°

硅片厚度/μm

 

技术规格

182*182±0.25

 

 

247±0.25

7.51±0.5

90±0.15

150+10/-10

(批次≥150μm)

140+10/-10

(批次≥140μm)

130+10/-10

(批次≥130μm)

120+10/-10

(批次≥120μm)

182.2*182.2±0.25

7.72±0.5

182.2*183.75±0.25

8.52±0.5

182.2*183.75±0.25

256±0.25

1.99±0.5

182.2*183.5±0.25

256±0.25

1.89*1.90±0.5

182.2*191.6±0.25

262.5±0.25

1.38*1.32±0.5

182*210±0.25

272±0.25

4.57*3.93±0.5

210*210±0.25

295±0.25

1.44±0.5

 

 

表面性能

序号

参数

标准

检验方式

1

切割方式

金刚线切割

/

2

纹路方向

平行于短边(半片)

目视

3

TTV

≤25μm

硅片自动分选设备

4

线痕

≤13μm

硅片自动分选设备

5

弯曲

≤40μm

硅片自动分选设备

6

翘曲

≤40μm

硅片自动分选设备

7

崩边

深度≤0.3mm且长度≤0.5mm

每片不能超过1个,无V型崩边

人工或硅片自动分选设备

8

隐裂

不允许

硅片自动分选设备

9

孔洞

不允许

硅片自动分选设备

10

表面质量

表面洁净,无可见污染

油污,指印,花斑,砂浆残留,胶残留)

硅片自动分选设备

 

 

边宽尺寸

A:硅片长度mm

E:硅片长度mm

B:硅片对角线mm

C:硅片倒角mm

D:垂直度°

       

 

 

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