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科普--N型硅片存在同心圆问题,要求更低氧含量


N型对晶体品质和氧碳含量要求很高,典型问题是由原生氧造成造成的同心圆、黑芯片问题,形成原因系高温的硅溶液在坩埚里进行相对高速的对流,因为外面热中间冷,底部热上面冷,硅溶液在坩埚内会形成类似“开锅”的现象,造成硅溶液内部出现流动,不停冲刷石英坩埚,而石英就是二氧化硅,其中含有的氧会在冲刷过程中融入硅溶液,造成晶体里含有较多的氧。

而TOPCon后续的高温工艺(如B扩散)下,氧非常容易沉淀,形成氧环即同心圆,影响效率和良率,所以TOPCon对硅片氧含量更敏感;而HJT为低温工艺,出现同心圆的概率不高,可以选择高氧含量的硅片。